第三代半导体质料拥有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速度及更高的抗辐射技能，所以更适合于筑造高温、高频、抗辐射及大功率器件，往往又被称为宽禁带半导体质料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体质料。第三代半导体质料紧要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。

　　跟着5G、新能源汽车等墟市进展，第三代半导体的需求界限保留高速增进。同时，中美商业战的影响给国产第三代半导体质料带来了进展良机。2024年正在国内泰半导体财产增进乏力的大布景下，我国第三代半导体财产竣工逆势增进。2024年，SiC、GaN电力电子产值界限抵达58亿元，同比增进29.6%。GaN微波射频产值抵达69亿元，同比增进13.5%。2020-2024年，中国第三代半导体专利申请数目处于当先职位；截至2024年12月16日，我国第三代半导体专利申请数目为1582件。

　　区域方面，我国第三代半导体开头酿成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大中心进展区域。从代表性企业漫衍情形来看，江苏省第三代半导体代表性企业漫衍最多，如姑苏纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业漫衍。从专利数目看，截至2024年12月16日，江苏省为中国现时申请第三代半导体专利数目最多的省份，累计现时第三代半导体专利申请数目高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江现时申请第三代半导体专利数目均进步1000项。中国现时申请省（市、自治区）第三代半导体专利数目排名前十的省份尚有河南省、上海市、湖南省和安徽省。

　　2024年3月12日，《中华黎民共和国国民经济和社会进展第十四个五年筹备和2024年前景对象纲领》全文正式发表。正在事合国度安笑和进展全体的根蒂中枢范畴，《纲领》提到拟订实行战术性科学安顿和科学工程。此中，集成电途攻合方面，《纲领》中心夸大推动集成电途策画东西、中电装置和高纯靶材等症结质料研发、集成电途进步工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电体例（MEMS）等特质工艺冲破，进步存储身手升级，碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体进展。2024年6月，《长三角G60科创走廊设置计划》提出正在中心范畴培养一批拥有国际逐鹿力的龙头企业，加快组织量子讯息、类脑芯片、第三代半导体、基因编纂等一批他日企业。2024年1月4日，工业和讯息化部、住房和城乡设置部、交通运输部、农业屯子部和国度能源局联络印发《智能光伏财产更始进展活动安顿（2025-2031年）》。安顿卓殊指出要开荒基于宽禁带质料及功率器件、芯片的逆变器。

　　我国第三代半导体身手和财产都赢得较好开展，但正在质料目标、器件职能等方面与海表进步水准仍存正在必定差异，墟市陆续被国际巨头攻陷，国产化需求危急。我国第三代半导体更始进展的机会一经成熟，处于紧要窗口期。

　　共研网发表的《2025-2031年中国第三代半导体行业全景考察与墟市供需预测陈说》共十二章。开始先容了第三代半导体行业的总体概略及环球行业进展地势，接着阐述了中国第三代半导体行业进展境况、墟市总体进展情况以及寰宇紧要区域进展情况。然后永诀对第三代半导体财产的财产链合联行业、行业中心企业的筹备情况及行业项目案例投资实行了具体的透析。结果，陈说对第三代半导体行业实行了投资阐述并对行业他日进展远景实行了科学的预测。

　　本咨询陈说数据紧要来自于国度统计局、商务部、工信部、中国海合总署、半导体行业协会、共研网、共研网墟市考察中央以及国表里中心刊物等渠道，数据巨头、翔实、雄厚，同时通过专业的阐述预测模子，对行业中枢进展目标实行科学地预测。您或贵单元若思对第三代半导体财产有个别例长远的清晰、或者思投资第三代半导体财产，本陈说将是您弗成或缺的紧要参考东西。

　　6.4.1 行使团体身手门途 电网行使身手门途 电力牵引行使身手门途 电动汽车行使身手门途 家用电器和消费类电子行使