近年来，正在消费电子需求以及新能源汽车、数据中央、光伏、风电、工业职掌等行业振起的推进下，以SiC、GaN等原料为中心的第三代半导体公司迅疾繁荣。

　　凭据环球墟市咨询机构 TrendForce 的数据，2023 年环球 GaN 功率器件墟市范畴到达 2.71 亿美元，估计到 2030 年将增加至 43.76 亿美元，复合年增加率为 49%。与此同时，SiC 正在汽车和可再生能源等必要高功率密度和恶果的运用中不绝加快采用。估计到 2028 年环球 SiC 功率器件墟市范畴将到达 91.7 亿美元。

　　远大的墟市机缘和国度计谋的声援，使中国半导体企业步入了迅疾增加期，并动手正在国际舞台上崭露头角。

　　近期，上实国际、英诺赛科、天域半导体等纷纷向港交所申请上市，彰显了其加快环球化组织、提拔技巧研发和出产才气、进一步国际化繁荣的刻意，同时拓宽融资渠道、提拔墟市竞赛力。

　　2024年12月23日，广东天域半导体股份有限公司(简称“天域半导体”)向香港团交友易完全限公司提交了上市申请书，中信证券为其独家保荐人。这不是天域半导体初次测验进入资金墟市，正在2023年6月时曾向深圳证券来往所提交过上市申请，但最终决计终止指点订交，并转向香港墟市寻求更大的繁荣机缘。

　　天域半导体设置于 2009 年，总部位于广东东莞松山湖，是中国首批技巧当先的第三代半导体公司之一，厉重笃志于研发、量产及发售自帮研发的碳化硅表延片。它是中国首批杀青 4 英寸及 6 英寸碳化硅表延片量产的公司之一，也是首批具有量产 8 英寸碳化硅表延片才气的公司之一。

　　正在过去几年里，天域半导体取得了包含华为哈勃科技、比亚迪正在内的多家著名企业和投资机构的声援，累计融资超越14亿元公民币。2023 年，天域半导体正在中国碳化硅表延片墟市的墟市份额达 38.8%（以收入计）及 38.6%（以销量计），使该公司成为中国碳化硅表延片行业排名首位的公司；正在环球，其以收入及销量计的表延片墟市份额均约为 15%，位列环球前三。

　　英诺赛科本次环球刊行4536.4万股H股，刊行价为每股30.86港元，召募资金约14亿港元，召募资金净额13.02亿港元。凭据规划，本次召募资金厉重用于伸张8英寸GaN晶圆产能、巩固研发和产物组合、以及拓展环球GaN产物分销收集。

　　英诺赛科告示最终刊行代价及配售结果显示，意法半导体、江苏国企夹杂完全造蜕变基金、东方立异资金、姑苏高端配备基金等四家基石投资者列入本次刊行，共计认购1亿美元。

　　英诺赛科正在珠海修成了中国第一条完善的8英寸硅基GaN晶圆及功率器件量产线月加入运营，是环球最大的8英寸硅基GaN晶圆缔造基地。

　　公司披露，2023年，英诺科思正在GaN功率半导体公司中墟市份额位居环球第一，按GaN分立器件出货量估量，墟市份额为42.4%。截至2024年第三季度，英诺科思GaN累计出货量打破10亿颗。

　　2024年12月27日，碳化硅（SiC）衬造商天岳先辈公告拟正在境表刊行股票（H股）并正在港交所上市，以加快国际化政策和海酬酢易组织。

　　天岳先辈是国内碳化硅衬底规模的领军企业，2022 年 1 月正式上岸 A 股科创板。其半绝缘型碳化硅衬底市占率曾联贯 4 年位居环球前三，2023 年公司的导电型碳化硅衬底原料市占率一经位列环球前三，2023 年正在环球导电型碳化硅衬底原料墟市拥有率排行中更是超越美国 Coherent（原名 II-VI），跃居环球第二。

　　天岳先辈旨正在加强其境表融资才气，加强其资金能力，普及整个竞赛力。该公司目前正在山东济南和济宁具有出产基地，其上海临港智能工场是导电SiC基板的厉新出产基地。

　　公司目前已杀青8英寸导电基板、6英寸导电基板、6英寸半绝缘基板、4英寸半绝缘基板的量产，导电SiC基板产物已为英飞凌、博世等国际行业当先企业运用于电力电子、汽车电子等规模。